本文摘要：受到三星、SK海力士、美光等三大DRAM厂产品线调整影响，再加制程转往20纳米后造成生产能力经常出现大自然减损情况，第3季以来DRAM市场已是供不应求，而且9月以来缺货问题日益严重，价格完全天天下跌，总计涨幅已逾1成幅度。由于短期内并无DRAM新的生产能力班车，缺货情况将持续到第4季，享有低价库存的模组厂威刚受益仅次于，利润亦是水涨船高。 DRAM市场缺货问题已浮上台面，而且短期内无以获得纾缓。

受到三星、SK海力士、美光等三大DRAM厂产品线调整影响，再加制程转往20纳米后造成生产能力经常出现大自然减损情况，第3季以来DRAM市场已是供不应求，而且9月以来缺货问题日益严重，价格完全天天下跌，总计涨幅已逾1成幅度。由于短期内并无DRAM新的生产能力班车，缺货情况将持续到第4季，享有低价库存的模组厂威刚受益仅次于，利润亦是水涨船高。

　　DRAM市场缺货问题已浮上台面，而且短期内无以获得纾缓。由供给面来看，下半年转入智能手机零组件备货旺季，不仅Android阵营高端手机DRAM配备容量已提高至3～4GB，苹果大尺寸iPhone7Plus配备容量提高5成至3GB，造成三大DRAM厂将生产能力大量移转至生产MobileDRAM。

　　其中，三星GalaxyNote7经常出现电池爆炸事件而展开全面重复使用，三星早已新的生产新机以利消费者换机，相等用掉了原本MobileDRAM需求量的2倍，这让三星无多余生产能力转到生产标准型DRAM。同时，三大DRAM厂今年开始迈入20纳米世代，生产能力大自然减损情况已造成近期的投片量显著高于上一世代30纳米制程。

　　模组厂普遍认为DRAM缺货问题将沿袭到第4季，寄予厚望价格将一路涨11月。　　据全球市场研究机构TrendForce集邦科技及模组厂获取报价，8GbDDR4现货均价昨日大上涨1.86%约4.10美元，9月来涨幅已约10.22%；4GbDDR4现货均价亦上涨至1.99美元，9月以来涨幅约8.74%。

至于4GbDDR3现货均价则涨1.88美元，9月以来涨幅亦低约10.59%。　　随着DRAM价格持续走高，不仅南亚科、华亚科、华邦电等DRAM厂必要受益，存储器模组厂如前瞻性、威刚等堪称利润大跃进。其中，DRAM营收占到较为低的威刚将是仅次于受惠者，第3季营运绩效已返回相等于产业多头时的高水准。　　威刚回应，新款智能手机相继倍数提高存储器容量，推升MobileDRAM市场需求大幅提高，标准型DRAM生产量受到生产能力排斥效应影响，供货严重不足状态未见纾缓。

预期DRAM价格涨势将沿袭至第4季，威刚在库存充裕且供货无虞的后盾下，本业利润展现出有望于下半年投出亮眼成绩单。

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